SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SQJQ960EL-T1_GE3
LIXINC Part # SQJQ960EL-T1_GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SQJQ960EL-T1_GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SQJQ960EL-T1_GE3 Технические характеристики

номер части:SQJQ960EL-T1_GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:Standard
напряжение сток-исток (vdss):60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:63A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:24nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1950pF @ 25V
мощность - макс.:71W
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
упаковка / чехол:PowerPAK® 8 x 8 Dual
пакет устройств поставщика:PowerPAK® 8 x 8 Dual

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SQ4920EY-T1_BE3 SQ4920EY-T1_BE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO 3469

Подробнее о заказе

SI7942DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 4083

Подробнее о заказе

FDG1024NZ FDG1024NZ MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 926

Подробнее о заказе

DMC3400SDW-7 DMC3400SDW-7 MOSFET N/P-CH 30V SOT363 903

Подробнее о заказе

EMH2411R-TL-H EMH2411R-TL-H POWER, N-CHANNEL, MOSFET 33435

Подробнее о заказе

EPC2100 EPC2100 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 1390

Подробнее о заказе

NTUD3128NT5G NTUD3128NT5G SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 4805

Подробнее о заказе

DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO 49603351

Подробнее о заказе

IRF7319PBF IRF7319PBF P-CHANNEL POWER MOSFET 933

Подробнее о заказе

ECH8653-TL-H ECH8653-TL-H POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 6981

Подробнее о заказе

BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON 979

Подробнее о заказе

SQ4282EY-T1_BE3 SQ4282EY-T1_BE3 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC 3376

Подробнее о заказе

SIZF906DT-T1-GE3 SIZF906DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR 1458

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11805 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.11000$2.11
2000$1.00329$2006.58
6000$0.96613$5796.78
10000$0.94586$9458.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top