BSZ15DC02KDHXTMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ15DC02KDHXTMA1 | BSZ15DC02KDHXTMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ15DC02KDHXTMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ15DC02KDHXTMA1
LIXINC Part #	BSZ15DC02KDHXTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ15DC02KDHXTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ15DC02KDHXTMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ15DC02KDHXTMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N and P-Channel Complementary
Фет-функция:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	5.1A, 3.2A
rds on (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.4V @ 110µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	2.8nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	419pF @ 10V
мощность - макс.:	2.5W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8-FL

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015