SIZF906DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 | SIZF906DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZF906DT-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIZF906DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZF906DT-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIZF906DT-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIZF906DT-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIZF906DT-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Half Bridge)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	60A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
мощность - макс.:	38W (Tc), 83W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerWDFN
пакет устройств поставщика:	8-PowerPair® (6x5)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015