NTD110N02R-001G | Rochester Electronics NTD110N02R-001G | NTD110N02R-001G Inventory, Best Pricing

NTD110N02R-001G

Увеличить

Только для справки

номер части	NTD110N02R-001G
LIXINC Part #	NTD110N02R-001G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTD110N02R-001G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTD110N02R-001G Технические характеристики

номер части:	NTD110N02R-001G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	24 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12.5A (Ta), 110A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3.44 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.5W (Ta), 110W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	I-PAK
упаковка / чехол:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.41000	$0.41

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015