Только для справки
номер части | TK1K9A60F,S4X |
LIXINC Part # | TK1K9A60F,S4X |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | TK1K9A60F,S4X След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | TK1K9A60F,S4X |
Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ряд: | U-MOSIX |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 3.7A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 1.9Ohm @ 1.9A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 400µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±30V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 490 pF @ 300 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 30W (Tc) |
Рабочая Температура: | 150°C |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | TO-220SIS |
упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
SIHG40N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | 1026 Подробнее о заказе |
|
ZXMN10B08E6TA | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 | 18972 Подробнее о заказе |
|
IRL80HS120 | MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN | 4358 Подробнее о заказе |
|
SCTW35N65G2V | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 | 1138 Подробнее о заказе |
|
IPI50R350CPXKSA1 | LOW POWER_LEGACY | 895 Подробнее о заказе |
|
FDU8876 | MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK | 3631 Подробнее о заказе |
|
SIR862DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 | 3697 Подробнее о заказе |
|
FQPF5N50CYDTU | MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3 | 7384870 Подробнее о заказе |
|
UF3C065080K4S | MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4 | 1392 Подробнее о заказе |
|
APT19F100J | MOSFET N-CH 1000V 20A ISOTOP | 868 Подробнее о заказе |
|
IRF540STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 1260 Подробнее о заказе |
|
STF2NK60Z | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220FP | 823 Подробнее о заказе |
|
RM2A8N60S4 | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-3 | 941 Подробнее о заказе |
В наличии | 11200 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.94000 | $0.94 |
50 | $0.75200 | $37.6 |
100 | $0.65800 | $65.8 |
500 | $0.51029 | $255.145 |
1000 | $0.40286 | $402.86 |
2500 | $0.37600 | $940 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.