ZXMN10B08E6TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Увеличить

Только для справки

номер части	ZXMN10B08E6TA
LIXINC Part #	ZXMN10B08E6TA
Производитель	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	ZXMN10B08E6TA След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

ZXMN10B08E6TA Технические характеристики

номер части:	ZXMN10B08E6TA
Бренд:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.6A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.3V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9.2 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	497 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.1W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-26
упаковка / чехол:	SOT-23-6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015