TPH1110ENH,L1Q

TPH1110ENH,L1Q
Увеличить

Только для справки

номер части TPH1110ENH,L1Q
LIXINC Part # TPH1110ENH,L1Q
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TPH1110ENH,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 01 - Jul 05 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPH1110ENH,L1Q Технические характеристики

номер части:TPH1110ENH,L1Q
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSVIII-H
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.2A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):1.6W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SOP Advance (5x5)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSS123W BSS123W MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 1825

Подробнее о заказе

PHB45NQ10T,118 PHB45NQ10T,118 MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK 5364

Подробнее о заказе

NTLUS4930NTBG NTLUS4930NTBG MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN 39717

Подробнее о заказе

IPB80N04S3H4ATMA1 IPB80N04S3H4ATMA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 34983

Подробнее о заказе

IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 1139

Подробнее о заказе

IPB80N04S306ATMA1 IPB80N04S306ATMA1 OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET 837

Подробнее о заказе

CSD25481F4T CSD25481F4T MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 865

Подробнее о заказе

FDP036N10A FDP036N10A MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 123516845

Подробнее о заказе

BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 26031

Подробнее о заказе

NTGS3443T1G NTGS3443T1G MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP 2147484547

Подробнее о заказе

IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 834

Подробнее о заказе

IXTA170N075T2 IXTA170N075T2 MOSFET N-CH 75V 170A TO263 2986

Подробнее о заказе

2N7002KT1G 2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 912

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10962 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.66128$0.66128
5000$0.66128$3306.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top