Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB160N04S4H1ATMA1
LIXINC Part # IPB160N04S4H1ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB160N04S4H1ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB160N04S4H1ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB160N04S4H1ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:160A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 110µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:137 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:10920 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):167W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB160N04S4H1ATMA1 Документы

if IPB160N04S4H1ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPB80N04S306ATMA1 IPB80N04S306ATMA1 OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET 839

Подробнее о заказе
CSD25481F4T CSD25481F4T MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 966

Подробнее о заказе
FDP036N10A FDP036N10A MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 123516819

Подробнее о заказе
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 25967

Подробнее о заказе
NTGS3443T1G NTGS3443T1G MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP 2147484580

Подробнее о заказе
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 903

Подробнее о заказе
IXTA170N075T2 IXTA170N075T2 MOSFET N-CH 75V 170A TO263 3032

Подробнее о заказе
2N7002KT1G 2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 962

Подробнее о заказе
SQP60N06-15_GE3 SQP60N06-15_GE3 MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB 842

Подробнее о заказе
TK17A65W,S5X TK17A65W,S5X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 977

Подробнее о заказе
APTM100UM45FAG APTM100UM45FAG MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 950

Подробнее о заказе
PHB66NQ03LT,118 PHB66NQ03LT,118 MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 2688

Подробнее о заказе
MMSF3P02HDR2G MMSF3P02HDR2G MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC 3048

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10995 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.50000$2.5
1000$1.18591$1185.91
2000$1.10412$2208.24
5000$1.06322$5316.1
10000$1.04092$10409.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top