Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N04S306ATMA1

IPB80N04S306ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N04S306ATMA1
LIXINC Part # IPB80N04S306ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N04S306ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N04S306ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB80N04S306ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:5.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 52µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:47 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3.25 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):100W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N04S306ATMA1 Документы

if IPB80N04S306ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

CSD25481F4T CSD25481F4T MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 959

Подробнее о заказе
FDP036N10A FDP036N10A MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 123516938

Подробнее о заказе
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 26093

Подробнее о заказе
NTGS3443T1G NTGS3443T1G MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP 2147484529

Подробнее о заказе
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 938

Подробнее о заказе
IXTA170N075T2 IXTA170N075T2 MOSFET N-CH 75V 170A TO263 2855

Подробнее о заказе
2N7002KT1G 2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 931

Подробнее о заказе
SQP60N06-15_GE3 SQP60N06-15_GE3 MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB 968

Подробнее о заказе
TK17A65W,S5X TK17A65W,S5X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 1096

Подробнее о заказе
APTM100UM45FAG APTM100UM45FAG MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 859

Подробнее о заказе
PHB66NQ03LT,118 PHB66NQ03LT,118 MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 2754

Подробнее о заказе
MMSF3P02HDR2G MMSF3P02HDR2G MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC 3182

Подробнее о заказе
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 21681

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10827 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.72000$0.72
1000$0.70967$709.67

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top