Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IMBF170R450M1XTMA1

IMBF170R450M1XTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part # IMBF170R450M1XTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IMBF170R450M1XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IMBF170R450M1XTMA1 Технические характеристики

номер части:IMBF170R450M1XTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolSiC™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):1700 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9.8A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):12V, 15V
rds on (max) @ id, vgs:450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:5.7V @ 2.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 12 V
ВГС (макс.):+20V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:610 pF @ 1000 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):107W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7
упаковка / чехол:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXTP32P20T IXTP32P20T MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB 1250

Подробнее о заказе
SCT3080AW7TL SCT3080AW7TL TRANS SJT N-CH 650V 29A TO263-7 1869

Подробнее о заказе
SISS60DN-T1-GE3 SISS60DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK 6635

Подробнее о заказе
SFU9130TU SFU9130TU P-CHANNEL POWER MOSFET 6001

Подробнее о заказе
STW20N95K5 STW20N95K5 MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3 1286

Подробнее о заказе
FDU8770 FDU8770 MOSFET N-CH 25V 35A IPAK 7859

Подробнее о заказе
HUFA76619D3ST HUFA76619D3ST MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA 2539

Подробнее о заказе
MMDFS2P102R2 MMDFS2P102R2 P-CHANNEL POWER MOSFET 947

Подробнее о заказе
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN 961

Подробнее о заказе
IPD650P06NMATMA1 IPD650P06NMATMA1 MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3 2579

Подробнее о заказе
STP11NK50ZFP STP11NK50ZFP MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP 2841

Подробнее о заказе
RJK0368DPA-00#J0 RJK0368DPA-00#J0 MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK 61966

Подробнее о заказе
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON 14931

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11489 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$10.47000$10.47

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top