Только для справки
номер части | BSC027N10NS5ATMA1 |
LIXINC Part # | BSC027N10NS5ATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSC027N10NS5ATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 08 - Jul 12 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | BSC027N10NS5ATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 23A (Ta), 100A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.8V @ 146µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 111 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 8200 pF @ 50 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 3W (Ta), 214W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TSON-8-3 |
упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
![]() |
STS13N3LLH5 | MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | 1000 Подробнее о заказе |
![]() |
AON7538 | MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN | 956 Подробнее о заказе |
![]() |
BSC882N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON | 35884 Подробнее о заказе |
![]() |
TN0104N3-G | MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3 | 1154 Подробнее о заказе |
![]() |
IRFP4668PBF | MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC | 947 Подробнее о заказе |
![]() |
FQB7P20TM | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | 2261 Подробнее о заказе |
![]() |
FQI4N20TU | MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK | 5913 Подробнее о заказе |
![]() |
RQ6C065BCTCR | MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 | 943 Подробнее о заказе |
![]() |
APT60N60SCSG/TR | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | 865 Подробнее о заказе |
![]() |
IXTQ30N60L2 | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | 4110 Подробнее о заказе |
![]() |
NVTFS4823NWFTWG | MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN | 5855 Подробнее о заказе |
![]() |
SI3442BDV-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP | 9094 Подробнее о заказе |
![]() |
TPH5200FNH,L1Q | MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP | 7003 Подробнее о заказе |
В наличии | 14994 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $4.26000 | $4.26 |
5000 | $2.06012 | $10300.6 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.