SISS60DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISS60DN-T1-GE3 | SISS60DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISS60DN-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SISS60DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISS60DN-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SISS60DN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 08 - Jul 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SISS60DN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SISS60DN-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	85.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+16V, -12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3960 pF @ 15 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Body)
рассеиваемая мощность (макс.):	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® 1212-8S
упаковка / чехол:	PowerPAK® 1212-8S

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.58000	$1.58

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015