Только для справки
номер части | BSZ100N03MSGATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ100N03MSGATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSZ100N03MSGATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | BSZ100N03MSGATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 10A (Ta), 40A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 9.1mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 23 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1700 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TSDSON-8 |
упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
![]() |
TSM60N750CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 | 831 Подробнее о заказе |
![]() |
SIA462DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 1095 Подробнее о заказе |
![]() |
SISH101DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK | 8396 Подробнее о заказе |
![]() |
DMP2004TK-7 | MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523 | 1108 Подробнее о заказе |
![]() |
IRFR13N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | 989 Подробнее о заказе |
![]() |
MTW24N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4354 Подробнее о заказе |
![]() |
BSC022N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 | 27858 Подробнее о заказе |
![]() |
SPA15N60CFDXKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1470 Подробнее о заказе |
![]() |
RU1C001UNTCL | MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F | 3074 Подробнее о заказе |
![]() |
DMT6016LSS-13 | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO | 986 Подробнее о заказе |
![]() |
FDD6670AS | MOSFET N-CH 30V 76A TO252 | 1397 Подробнее о заказе |
![]() |
IRLL024ZPBF | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | 943 Подробнее о заказе |
![]() |
IRFZ44RPBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1891 Подробнее о заказе |
В наличии | 14553 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.74000 | $0.74 |
5000 | $0.29021 | $1451.05 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.