Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC022N04LSATMA1
LIXINC Part # BSC022N04LSATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC022N04LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC022N04LSATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC022N04LSATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2600 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-6
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC022N04LSATMA1 Документы

if BSC022N04LSATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SPA15N60CFDXKSA1 SPA15N60CFDXKSA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 1484

Подробнее о заказе
RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F 3162

Подробнее о заказе
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO 859

Подробнее о заказе
FDD6670AS FDD6670AS MOSFET N-CH 30V 76A TO252 1383

Подробнее о заказе
IRLL024ZPBF IRLL024ZPBF MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 828

Подробнее о заказе
IRFZ44RPBF-BE3 IRFZ44RPBF-BE3 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB 1963

Подробнее о заказе
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU,LF MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB 6804

Подробнее о заказе
IPP80N06S2LH5AKSA2 IPP80N06S2LH5AKSA2 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1 38986

Подробнее о заказе
IRFR010PBF IRFR010PBF MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK 3206

Подробнее о заказе
SISA04DN-T1-GE3 SISA04DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 3956

Подробнее о заказе
FDD86367 FDD86367 MOSFET N-CH 80V 100A DPAK 977

Подробнее о заказе
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK 2761

Подробнее о заказе
BUK7S0R9-40HJ BUK7S0R9-40HJ MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88 2779

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 27860 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.55000$1.55
5000$0.73576$3678.8
10000$0.71127$7112.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top