SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIA462DJ-T1-GE3
LIXINC Part # SIA462DJ-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIA462DJ-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIA462DJ-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIA462DJ-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:12A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:570 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.5W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SC-70-6 Single
упаковка / чехол:PowerPAK® SC-70-6

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SISH101DN-T1-GE3 SISH101DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK 8333

Подробнее о заказе

DMP2004TK-7 DMP2004TK-7 MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523 948

Подробнее о заказе

IRFR13N15DTRPBF IRFR13N15DTRPBF MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 975

Подробнее о заказе

MTW24N40E MTW24N40E N-CHANNEL POWER MOSFET 4258

Подробнее о заказе

BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 27905

Подробнее о заказе

SPA15N60CFDXKSA1 SPA15N60CFDXKSA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 1301

Подробнее о заказе

RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F 3096

Подробнее о заказе

DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO 1000

Подробнее о заказе

FDD6670AS FDD6670AS MOSFET N-CH 30V 76A TO252 1363

Подробнее о заказе

IRLL024ZPBF IRLL024ZPBF MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 973

Подробнее о заказе

IRFZ44RPBF-BE3 IRFZ44RPBF-BE3 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB 1971

Подробнее о заказе

SSM6J505NU,LF SSM6J505NU,LF MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB 6898

Подробнее о заказе

IPP80N06S2LH5AKSA2 IPP80N06S2LH5AKSA2 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1 38801

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11000 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.43000$0.43
3000$0.16632$498.96
6000$0.15618$937.08
15000$0.14605$2190.75
30000$0.13895$4168.5
75000$0.13821$10365.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top