Только для справки
номер части | SIA462DJ-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIA462DJ-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIA462DJ-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | SIA462DJ-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 18mOhm @ 9A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.4V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 570 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SC-70-6 |
![]() |
SISH101DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK | 8333 Подробнее о заказе |
![]() |
DMP2004TK-7 | MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523 | 948 Подробнее о заказе |
![]() |
IRFR13N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | 975 Подробнее о заказе |
![]() |
MTW24N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4258 Подробнее о заказе |
![]() |
BSC022N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 | 27905 Подробнее о заказе |
![]() |
SPA15N60CFDXKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1301 Подробнее о заказе |
![]() |
RU1C001UNTCL | MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F | 3096 Подробнее о заказе |
![]() |
DMT6016LSS-13 | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO | 1000 Подробнее о заказе |
![]() |
FDD6670AS | MOSFET N-CH 30V 76A TO252 | 1363 Подробнее о заказе |
![]() |
IRLL024ZPBF | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | 973 Подробнее о заказе |
![]() |
IRFZ44RPBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1971 Подробнее о заказе |
![]() |
SSM6J505NU,LF | MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB | 6898 Подробнее о заказе |
![]() |
IPP80N06S2LH5AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1 | 38801 Подробнее о заказе |
В наличии | 11000 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.43000 | $0.43 |
3000 | $0.16632 | $498.96 |
6000 | $0.15618 | $937.08 |
15000 | $0.14605 | $2190.75 |
30000 | $0.13895 | $4168.5 |
75000 | $0.13821 | $10365.75 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.