Только для справки
номер части | IAUS165N08S5N029ATMA1 |
LIXINC Part # | IAUS165N08S5N029ATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IAUS165N08S5N029ATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 15 - Jul 19 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | IAUS165N08S5N029ATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 80 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 165A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.8V @ 108µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 90 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 6370 pF @ 40 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 167W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-HSOG-8-1 |
упаковка / чехол: | 8-PowerSMD, Gull Wing |
![]() |
SQM120N10-09_GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 936 Подробнее о заказе |
![]() |
IPI80N06S2L11AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 41471 Подробнее о заказе |
![]() |
IPD096N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 | 976 Подробнее о заказе |
![]() |
STP5N105K5 | MOSFET N-CH 1050V 3A TO220 | 1693 Подробнее о заказе |
![]() |
IXTA2N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 | 838 Подробнее о заказе |
![]() |
SIHB22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 7830 Подробнее о заказе |
![]() |
FQB7P20TM-F085 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | 1315 Подробнее о заказе |
![]() |
R6004ENDTL | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | 3491 Подробнее о заказе |
![]() |
IXFH230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD | 1708 Подробнее о заказе |
![]() |
FQPF18N20V2 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220F | 2145 Подробнее о заказе |
![]() |
IPW60R250CPFKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 884 Подробнее о заказе |
![]() |
BUK7Y6R0-60EX | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | 815 Подробнее о заказе |
![]() |
IPD70N04S307ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10753 Подробнее о заказе |
В наличии | 11874 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $4.50000 | $4.5 |
1800 | $2.22498 | $4004.964 |
3600 | $2.11372 | $7609.392 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.