IPI80N06S2L11AKSA2

IPI80N06S2L11AKSA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPI80N06S2L11AKSA2
LIXINC Part # IPI80N06S2L11AKSA2
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPI80N06S2L11AKSA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 15 - Jul 19 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPI80N06S2L11AKSA2 Технические характеристики

номер части:IPI80N06S2L11AKSA2
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 93µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2075 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):158W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO262-3
упаковка / чехол:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 850

Подробнее о заказе

STP5N105K5 STP5N105K5 MOSFET N-CH 1050V 3A TO220 1715

Подробнее о заказе

IXTA2N100P-TRL IXTA2N100P-TRL MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 999

Подробнее о заказе

SIHB22N60E-GE3 SIHB22N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 7662

Подробнее о заказе

FQB7P20TM-F085 FQB7P20TM-F085 MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK 1246

Подробнее о заказе

R6004ENDTL R6004ENDTL MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 3526

Подробнее о заказе

IXFH230N075T2 IXFH230N075T2 MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD 1770

Подробнее о заказе

FQPF18N20V2 FQPF18N20V2 MOSFET N-CH 200V 18A TO220F 2193

Подробнее о заказе

IPW60R250CPFKSA1 IPW60R250CPFKSA1 N-CHANNEL POWER MOSFET 981

Подробнее о заказе

BUK7Y6R0-60EX BUK7Y6R0-60EX MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 910

Подробнее о заказе

IPD70N04S307ATMA1 IPD70N04S307ATMA1 N-CHANNEL POWER MOSFET 10673

Подробнее о заказе

AOB282L AOB282L MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263 975

Подробнее о заказе

FQNL2N50BTA FQNL2N50BTA POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0 20983

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 41359 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.88000$0.88
500$0.88000$440

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top