Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD096N08N3GATMA1
LIXINC Part # IPD096N08N3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD096N08N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD096N08N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD096N08N3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:73A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:9.6mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 46µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2410 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):100W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD096N08N3GATMA1 Документы

if IPD096N08N3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STP5N105K5 STP5N105K5 MOSFET N-CH 1050V 3A TO220 1751

Подробнее о заказе
IXTA2N100P-TRL IXTA2N100P-TRL MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 855

Подробнее о заказе
SIHB22N60E-GE3 SIHB22N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 7671

Подробнее о заказе
FQB7P20TM-F085 FQB7P20TM-F085 MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK 1335

Подробнее о заказе
R6004ENDTL R6004ENDTL MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 3417

Подробнее о заказе
IXFH230N075T2 IXFH230N075T2 MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD 1770

Подробнее о заказе
FQPF18N20V2 FQPF18N20V2 MOSFET N-CH 200V 18A TO220F 2136

Подробнее о заказе
IPW60R250CPFKSA1 IPW60R250CPFKSA1 N-CHANNEL POWER MOSFET 863

Подробнее о заказе
BUK7Y6R0-60EX BUK7Y6R0-60EX MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 858

Подробнее о заказе
IPD70N04S307ATMA1 IPD70N04S307ATMA1 N-CHANNEL POWER MOSFET 10668

Подробнее о заказе
AOB282L AOB282L MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263 904

Подробнее о заказе
FQNL2N50BTA FQNL2N50BTA POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0 20968

Подробнее о заказе
DMP6185SE-13 DMP6185SE-13 MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 3175

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10996 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.21000$1.21
2500$0.53460$1336.5
5000$0.50788$2539.4
12500$0.48878$6109.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top