APTM120TDU57PG | Microsemi APTM120TDU57PG | APTM120TDU57PG Inventory, Best Pricing

APTM120TDU57PG

Увеличить

Только для справки

номер части	APTM120TDU57PG
LIXINC Part #	APTM120TDU57PG
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTM120TDU57PG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTM120TDU57PG Технические характеристики

номер части:	APTM120TDU57PG
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	1200V (1.2kV)
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	17A
rds on (max) @ id, vgs:	684mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 2.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	187nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5155pF @ 25V
мощность - макс.:	390W
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	SP6
пакет устройств поставщика:	SP6-P

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015