IRFH4255DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH4255DTRPBF | IRFH4255DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH4255DTRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRFH4255DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4255DTRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRFH4255DTRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRFH4255DTRPBF Технические характеристики

номер части:	IRFH4255DTRPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	25V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	64A, 105A
rds on (max) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 35µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1314pF @ 13V
мощность - макс.:	31W, 38W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN
пакет устройств поставщика:	PQFN (5x6)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015