BSD223P L6327 | IR (Infineon Technologies) BSD223P L6327 | BSD223P L6327 Inventory, Best Pricing

BSD223P L6327

Увеличить

Только для справки

номер части	BSD223P L6327
LIXINC Part #	BSD223P L6327
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSD223P L6327 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSD223P L6327 Технические характеристики

номер части:	BSD223P L6327
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 P-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	390mA
rds on (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 1.5µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	0.62nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	56pF @ 15V
мощность - макс.:	250mW
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
пакет устройств поставщика:	PG-SOT363-6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015