STS3DNE60L | STMicroelectronics STS3DNE60L | STS3DNE60L Inventory, Best Pricing

STS3DNE60L

Увеличить

Только для справки

номер части	STS3DNE60L
LIXINC Part #	STS3DNE60L
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STS3DNE60L След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STS3DNE60L Технические характеристики

номер части:	STS3DNE60L
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	STripFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3A
rds on (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	13.5nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	815pF @ 25V
мощность - макс.:	2W
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SO

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015