SSM6L13TU(T5L,F,T) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6L13TU(T5L,F,T) | SSM6L13TU(T5L,F,T) Inventory, Best Pricing

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Увеличить

Только для справки

номер части	SSM6L13TU(T5L,F,T)
LIXINC Part #	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SSM6L13TU(T5L,F,T) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SSM6L13TU(T5L,F,T) Технические характеристики

номер части:	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N and P-Channel
Фет-функция:	Logic Level Gate, 1.8V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	800mA (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	268pF @ 10V, 250pF @ 10V
мощность - макс.:	500mW
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-SMD, Flat Leads
пакет устройств поставщика:	UF6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015