SP8M10FU6TB | ROHM Semiconductor SP8M10FU6TB | SP8M10FU6TB Inventory, Best Pricing

SP8M10FU6TB

Увеличить

Только для справки

номер части	SP8M10FU6TB
LIXINC Part #	SP8M10FU6TB
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SP8M10FU6TB След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SP8M10FU6TB Технические характеристики

номер части:	SP8M10FU6TB
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N and P-Channel
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7A, 4.5A
rds on (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	11.8nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	600pF @ 10V
мощность - макс.:	2W
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SOP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015