FDMA2002NZ_F130 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA2002NZ_F130

FDMA2002NZ_F130

Увеличить

Только для справки

номер части	FDMA2002NZ_F130
LIXINC Part #	FDMA2002NZ_F130
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	INTEGRATED CIRCUIT
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDMA2002NZ_F130 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDMA2002NZ_F130 Технические характеристики

номер части:	FDMA2002NZ_F130
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.9A
rds on (max) @ id, vgs:	123mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	3nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	220pF @ 15V
мощность - макс.:	650mW
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-VDFN Exposed Pad
пакет устройств поставщика:	6-MicroFET (2x2)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015