Только для справки
номер части | SI2318DS-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI2318DS-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SI2318DS-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SI2318DS-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 3A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 45mOhm @ 3.9A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 540 pF @ 20 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 750mW (Ta) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | SOT-23-3 (TO-236) |
упаковка / чехол: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
IXTA1R6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263 | 842 Подробнее о заказе |
|
SIHU7N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK | 947 Подробнее о заказе |
|
BSB013NE2LXIXUMA1 | MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON | 9803 Подробнее о заказе |
|
SISS71DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S | 863 Подробнее о заказе |
|
FQD3P50TM-AM002BLT | MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252 | 899 Подробнее о заказе |
|
IXFR24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | 942 Подробнее о заказе |
|
IPP100N08S2L07AKSA1 | MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 | 1208 Подробнее о заказе |
|
BUK9E15-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK | 823 Подробнее о заказе |
|
FDMS8660AS | MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN | 135271 Подробнее о заказе |
|
IPB054N06N3G | IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | 883 Подробнее о заказе |
|
IPD50N03S207ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 51126 Подробнее о заказе |
|
NVMFS5C466NLT1G | MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN | 879 Подробнее о заказе |
|
NTB5412NT4G | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | 24117 Подробнее о заказе |
В наличии | 11268 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.55000 | $0.55 |
3000 | $0.21541 | $646.23 |
6000 | $0.20229 | $1213.74 |
15000 | $0.18916 | $2837.4 |
30000 | $0.17996 | $5398.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.