Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSB013NE2LXIXUMA1

BSB013NE2LXIXUMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSB013NE2LXIXUMA1
LIXINC Part # BSB013NE2LXIXUMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSB013NE2LXIXUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 05 - Oct 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSB013NE2LXIXUMA1 Технические характеристики

номер части:BSB013NE2LXIXUMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:36A (Ta), 163A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:62 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4400 pF @ 12 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.8W (Ta), 57W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:MG-WDSON-2, CanPAK M™
упаковка / чехол:3-WDSON

BSB013NE2LXIXUMA1 Документы

if BSB013NE2LXIXUMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SISS71DN-T1-GE3 SISS71DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S 887

Подробнее о заказе
FQD3P50TM-AM002BLT FQD3P50TM-AM002BLT MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252 979

Подробнее о заказе
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 806

Подробнее о заказе
IPP100N08S2L07AKSA1 IPP100N08S2L07AKSA1 MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 1279

Подробнее о заказе
BUK9E15-60E,127 BUK9E15-60E,127 MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK 973

Подробнее о заказе
FDMS8660AS FDMS8660AS MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN 135285

Подробнее о заказе
IPB054N06N3G IPB054N06N3G IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P 834

Подробнее о заказе
IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 51065

Подробнее о заказе
NVMFS5C466NLT1G NVMFS5C466NLT1G MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN 964

Подробнее о заказе
NTB5412NT4G NTB5412NT4G MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK 24109

Подробнее о заказе
BUK7M20-40HX BUK7M20-40HX MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33 896

Подробнее о заказе
IPA105N15N3GXKSA1 IPA105N15N3GXKSA1 MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP 871

Подробнее о заказе
IRLB4030PBF IRLB4030PBF MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB 7212

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19729 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.04000$2.04
5000$0.89760$4488
10000$0.87877$8787.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top