Только для справки
номер части | IPD30N06S2L23ATMA1 |
LIXINC Part # | IPD30N06S2L23ATMA1 |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPD30N06S2L23ATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | IPD30N06S2L23ATMA1 |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Bulk |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 55 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 30A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 23mOhm @ 22A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 50µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.091 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 100W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
![]() |
FQB50N06TM | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 1209 Подробнее о заказе |
![]() |
STD52P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 52A DPAK | 2640 Подробнее о заказе |
![]() |
DMN2005UFG-7 | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 | 6445 Подробнее о заказе |
![]() |
IPA028N08N3G | IPA028N08 - 12V-300V N-CHANNEL P | 6832 Подробнее о заказе |
![]() |
FDS7766 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 12218 Подробнее о заказе |
![]() |
FDMS8350L | MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 | 3904 Подробнее о заказе |
![]() |
SST214 SOT-143 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1866 Подробнее о заказе |
![]() |
FDMS5352 | MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN | 3170 Подробнее о заказе |
![]() |
PSMN1R4-40YLDX | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 | 1938 Подробнее о заказе |
![]() |
RUM002N05T2L | MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 | 68283 Подробнее о заказе |
![]() |
IXFQ60N50P3 | MOSFET N-CH 500V 60A TO3P | 3425 Подробнее о заказе |
![]() |
STP16N65M2 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220 | 1983 Подробнее о заказе |
![]() |
BSZ100N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON | 4395 Подробнее о заказе |
В наличии | 10922 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.43000 | $0.43 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.