Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB180N04S4LH0ATMA1
LIXINC Part # IPB180N04S4LH0ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB180N04S4LH0ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB180N04S4LH0ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB180N04S4LH0ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 180µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:310 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+20V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:24.44 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):250W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB180N04S4LH0ATMA1 Документы

if IPB180N04S4LH0ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSC070N10NS5SCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1 MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON 1954

Подробнее о заказе
FQP7N80 FQP7N80 MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3 17157

Подробнее о заказе
MTD20P03HDL1 MTD20P03HDL1 P-CHANNEL POWER MOSFET 4244

Подробнее о заказе
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 989

Подробнее о заказе
TSM3N100CP ROG TSM3N100CP ROG MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252 825

Подробнее о заказе
NVMFS5C460NLWFAFT3G NVMFS5C460NLWFAFT3G MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN 880

Подробнее о заказе
NTB65N02RT4G NTB65N02RT4G MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK 4903

Подробнее о заказе
EPC2034 EPC2034 GANFET N-CH 200V 48A DIE 34896

Подробнее о заказе
IXFR80N50P IXFR80N50P MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 102978

Подробнее о заказе
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 58254

Подробнее о заказе
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 100994

Подробнее о заказе
PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-25YLC,115 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 3213

Подробнее о заказе
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK 1661

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11450 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.40000$1.4
1000$1.40000$1400

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top