SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIS890DN-T1-GE3
LIXINC Part # SIS890DN-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIS890DN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIS890DN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIS890DN-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:23.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:802 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® 1212-8
упаковка / чехол:PowerPAK® 1212-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TSM3N100CP ROG TSM3N100CP ROG MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252 828

Подробнее о заказе

NVMFS5C460NLWFAFT3G NVMFS5C460NLWFAFT3G MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN 960

Подробнее о заказе

NTB65N02RT4G NTB65N02RT4G MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK 4826

Подробнее о заказе

EPC2034 EPC2034 GANFET N-CH 200V 48A DIE 34975

Подробнее о заказе

IXFR80N50P IXFR80N50P MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 103029

Подробнее о заказе

BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 58176

Подробнее о заказе

BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 100993

Подробнее о заказе

PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-25YLC,115 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 3174

Подробнее о заказе

IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK 1662

Подробнее о заказе

IPP60R080P7XKSA1 IPP60R080P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3 970

Подробнее о заказе

PMPB50ENEX PMPB50ENEX MOSFET DFN2020MD-6 3931

Подробнее о заказе

PMPB100ENEA115 PMPB100ENEA115 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 30992

Подробнее о заказе

SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK 3555

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10835 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.47000$1.47
3000$0.68759$2062.77
6000$0.65531$3931.86
15000$0.63224$9483.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top