Только для справки
номер части | IPB80N06S209ATMA1 |
LIXINC Part # | IPB80N06S209ATMA1 |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB80N06S209ATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 21 - Sep 25 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB80N06S209ATMA1 |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Bulk |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 55 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 80A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 8.8mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 125µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 80 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2.36 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 190W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRF2807STRLPBF | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK | 1422 Подробнее о заказе |
|
AUIRFP064N | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 1343 Подробнее о заказе |
|
STB75NF75T4 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 1838 Подробнее о заказе |
|
2SJ661-DL-1E | MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2 | 2236 Подробнее о заказе |
|
IPD50R950CEAUMA1 | CONSUMER | 862 Подробнее о заказе |
|
CEDM7004 TR PBFREE | MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 | 3736925 Подробнее о заказе |
|
FDMC4435BZ-F126 | MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP | 70993921 Подробнее о заказе |
|
IPW50R199CPFKSA1 | MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3 | 880 Подробнее о заказе |
|
SCTW100N65G2AG | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 | 2438 Подробнее о заказе |
|
BSS119NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | 30574 Подробнее о заказе |
|
BUK7523-75A,127 | MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB | 982 Подробнее о заказе |
|
AUIRF7207Q | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO | 926 Подробнее о заказе |
|
APT29F80J | MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP | 896 Подробнее о заказе |
В наличии | 319857 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.57000 | $0.57 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.