2SJ661-DL-1E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Увеличить

Только для справки

номер части	2SJ661-DL-1E
LIXINC Part #	2SJ661-DL-1E
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SJ661-DL-1E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 21 - Sep 25 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SJ661-DL-1E Технические характеристики

номер части:	2SJ661-DL-1E
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	38A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4360 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.65W (Ta), 65W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263-2
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015