Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD50P04P4L11ATMA1

IPD50P04P4L11ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD50P04P4L11ATMA1
LIXINC Part # IPD50P04P4L11ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD50P04P4L11ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD50P04P4L11ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD50P04P4L11ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:10.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 85µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:59 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3900 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):58W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50P04P4L11ATMA1 Документы

if IPD50P04P4L11ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

C3M0045065K C3M0045065K GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET 1183

Подробнее о заказе
IMW120R060M1HXKSA1 IMW120R060M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 1345

Подробнее о заказе
IXFK48N50 IXFK48N50 MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA 1565

Подробнее о заказе
AUIRFB4610 AUIRFB4610 AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL 11886

Подробнее о заказе
NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 2147484644

Подробнее о заказе
NTMSD3P102R2SG NTMSD3P102R2SG MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC 26081

Подробнее о заказе
IXTP42N15T IXTP42N15T MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB 864

Подробнее о заказе
IRFBC30ALPBF IRFBC30ALPBF MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK 851

Подробнее о заказе
IRF8736PBF IRF8736PBF MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 877

Подробнее о заказе
RF1K4909396 RF1K4909396 P-CHANNEL POWER MOSFET 3912

Подробнее о заказе
IXTT110N10L2 IXTT110N10L2 MOSFET N-CH 100V 110A TO268 954

Подробнее о заказе
TSM120NA03CR RLG TSM120NA03CR RLG MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN 834

Подробнее о заказе
IRFBF30PBF-BE3 IRFBF30PBF-BE3 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB 1974

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10910 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.21000$1.21
2500$1.20600$3015
5000$1.14570$5728.5
12500$1.10265$13783.125
25000$1.09637$27409.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top