IMW120R060M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW120R060M1HXKSA1 | IMW120R060M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW120R060M1HXKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IMW120R060M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW120R060M1HXKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IMW120R060M1HXKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IMW120R060M1HXKSA1 Технические характеристики

номер части:	IMW120R060M1HXKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolSiC™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1.2 kV
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	36A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	15V, 18V
rds on (max) @ id, vgs:	78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.7V @ 5.6mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 18 V
ВГС (макс.):	+23V, -7V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1.06 nF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	150W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3-41
упаковка / чехол:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$12.44000	$12.44

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015