Только для справки
номер части | NTD3817N-1G |
LIXINC Part # | NTD3817N-1G |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | NTD3817N-1G След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | NTD3817N-1G |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | - |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Obsolete |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 16 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 13.9mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 10.5 nC @ 4.5 V |
ВГС (макс.): | ±16V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 702 pF @ 12 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | I-PAK |
упаковка / чехол: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
IPAN80R280P7XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 17A TO220 | 1234 Подробнее о заказе |
|
AOB600A60L | MOSFET N-CH 600V 8A TO263 | 1727 Подробнее о заказе |
|
IRFU320 | MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA | 1946 Подробнее о заказе |
|
CSD19538Q3A | MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON | 922 Подробнее о заказе |
|
STN3N40K3 | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | 5496 Подробнее о заказе |
|
STLD200N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | 3444 Подробнее о заказе |
|
SIHU5N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA | 3918 Подробнее о заказе |
|
SKI10123 | MOSFET N-CH 100V 66A TO263 | 842 Подробнее о заказе |
|
SIDR610DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK | 1956 Подробнее о заказе |
|
IRF7326D2TRPBF | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO | 3268 Подробнее о заказе |
|
SQD45P03-12_GE3 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | 2965 Подробнее о заказе |
|
FDB024N08BL7 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 | 1296 Подробнее о заказе |
|
NVTJD4105CT1G | MOSFET 20V 0.63A SC-88 | 4126 Подробнее о заказе |
В наличии | 15328 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.18000 | $0.18 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.