Только для справки
номер части | IPAN80R280P7XKSA1 |
LIXINC Part # | IPAN80R280P7XKSA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 800V 17A TO220 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPAN80R280P7XKSA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPAN80R280P7XKSA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | CoolMOS™ P7 |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 17A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 280mOhm @ 7.2A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 360µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1200 pF @ 500 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 30W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | PG-TO220 Full Pack |
упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
AOB600A60L | MOSFET N-CH 600V 8A TO263 | 1788 Подробнее о заказе |
|
IRFU320 | MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA | 1802 Подробнее о заказе |
|
CSD19538Q3A | MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON | 821 Подробнее о заказе |
|
STN3N40K3 | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | 5444 Подробнее о заказе |
|
STLD200N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | 3394 Подробнее о заказе |
|
SIHU5N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA | 3815 Подробнее о заказе |
|
SKI10123 | MOSFET N-CH 100V 66A TO263 | 822 Подробнее о заказе |
|
SIDR610DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK | 1925 Подробнее о заказе |
|
IRF7326D2TRPBF | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO | 3340 Подробнее о заказе |
|
SQD45P03-12_GE3 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | 2889 Подробнее о заказе |
|
FDB024N08BL7 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 | 1261 Подробнее о заказе |
|
NVTJD4105CT1G | MOSFET 20V 0.63A SC-88 | 4158 Подробнее о заказе |
|
BUK9515-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB | 833 Подробнее о заказе |
В наличии | 11258 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $3.08000 | $3.08 |
10 | $2.76751 | $27.6751 |
100 | $2.30156 | $230.156 |
500 | $1.89773 | $948.865 |
1000 | $1.62850 | $1628.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.