Только для справки
номер части | SIRA02DP-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIRA02DP-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIRA02DP-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIRA02DP-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 2mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 117 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | +20V, -16V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 6150 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 5W (Ta), 71.4W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SO-8 |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SO-8 |
BUK6D120-40EX | MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN | 4406 Подробнее о заказе |
|
FQPF7N80C | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F | 1856 Подробнее о заказе |
|
RM5N650LD | MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252-2 | 968 Подробнее о заказе |
|
SI2308BDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | 12935 Подробнее о заказе |
|
BSC0803LSATMA1 | MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6 | 10526 Подробнее о заказе |
|
DMP4011SPS-13 | MOSFET P-CH 40V PWRDI5060 | 862 Подробнее о заказе |
|
IPW60R125C6FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 | 1338 Подробнее о заказе |
|
SIHG47N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | 1116 Подробнее о заказе |
|
BUK9Y19-55B/C2,115 | MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 | 979 Подробнее о заказе |
|
STP4NK80ZFP | MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP | 1835 Подробнее о заказе |
|
SI3460BDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | 2264 Подробнее о заказе |
|
IRF7456TRPBF | MOSFET N-CH 20V 16A 8SO | 4853 Подробнее о заказе |
|
NVD5802NT4G | 16.4A, 40V, 0.0078OHM, N-CHANNE | 988 Подробнее о заказе |
В наличии | 12696 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.85000 | $1.85 |
3000 | $0.93898 | $2816.94 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.