NVD5802NT4G | Rochester Electronics NVD5802NT4G | NVD5802NT4G Inventory, Best Pricing

NVD5802NT4G

Увеличить

Только для справки

номер части	NVD5802NT4G
LIXINC Part #	NVD5802NT4G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	16.4A, 40V, 0.0078OHM, N-CHANNE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVD5802NT4G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVD5802NT4G Технические характеристики

номер части:	NVD5802NT4G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	16.4A (Ta), 101A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5.3 pF @ 12 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DPAK
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.78000	$0.78

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015