FS100R07N2E4B11BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FS100R07N2E4B11BOSA1 | FS100R07N2E4B11BOSA1 Inventory, Best Pricing

FS100R07N2E4B11BOSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	FS100R07N2E4B11BOSA1
LIXINC Part #	FS100R07N2E4B11BOSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 650V 125A 20MW
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FS100R07N2E4B11BOSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FS100R07N2E4B11BOSA1 Технические характеристики

номер части:	FS100R07N2E4B11BOSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	Three Phase Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	125 A
мощность - макс.:	20 mW
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 100A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1 mA
входная емкость (cis) @ vce:	6.2 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$104.52733	$104.52733
30	$104.52733	$3135.8199

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015