DF150R12W1H3FB11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) DF150R12W1H3FB11BOMA1 | DF150R12W1H3FB11BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF150R12W1H3FB11BOMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	DF150R12W1H3FB11BOMA1
LIXINC Part #	DF150R12W1H3FB11BOMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE LOW POWER EASY
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DF150R12W1H3FB11BOMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DF150R12W1H3FB11BOMA1 Технические характеристики

номер части:	DF150R12W1H3FB11BOMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	-
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
мощность - макс.:	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	-
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
входная емкость (cis) @ vce:	-
вход:	-
нтк термистор:	-
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	-
пакет устройств поставщика:	-

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$48.00000	$48

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015