Только для справки
номер части | IPB80N04S306ATMA1 |
LIXINC Part # | IPB80N04S306ATMA1 |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB80N04S306ATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | IPB80N04S306ATMA1 |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Bulk |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 80A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 5.4mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 52µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 47 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3.25 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 100W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
![]() |
CSD25481F4T | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR | 910 Подробнее о заказе |
![]() |
FDP036N10A | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 | 123516827 Подробнее о заказе |
![]() |
BSS306NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 | 26001 Подробнее о заказе |
![]() |
NTGS3443T1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP | 2147484615 Подробнее о заказе |
![]() |
IPN70R360P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 | 802 Подробнее о заказе |
![]() |
IXTA170N075T2 | MOSFET N-CH 75V 170A TO263 | 2900 Подробнее о заказе |
![]() |
2N7002KT1G | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 | 907 Подробнее о заказе |
![]() |
SQP60N06-15_GE3 | MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB | 995 Подробнее о заказе |
![]() |
TK17A65W,S5X | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 1103 Подробнее о заказе |
![]() |
APTM100UM45FAG | MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 | 859 Подробнее о заказе |
![]() |
PHB66NQ03LT,118 | MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK | 2657 Подробнее о заказе |
![]() |
MMSF3P02HDR2G | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC | 3182 Подробнее о заказе |
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 | 21591 Подробнее о заказе |
В наличии | 10899 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.72000 | $0.72 |
1000 | $0.70967 | $709.67 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.