IPBE65R075CFD7AATMA1

IPBE65R075CFD7AATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPBE65R075CFD7AATMA1
LIXINC Part # IPBE65R075CFD7AATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPBE65R075CFD7AATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPBE65R075CFD7AATMA1 Технические характеристики

номер части:IPBE65R075CFD7AATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:32A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:75mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 820µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:68 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3288 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):171W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-3-10
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDPF33N25T FDPF33N25T MOSFET N-CH 250V 33A TO220F 2044

Подробнее о заказе

IXFK88N30P IXFK88N30P MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA 483601

Подробнее о заказе

IRFU1205PBF IRFU1205PBF HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET 1756

Подробнее о заказе

NTD4808NT4G NTD4808NT4G MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK 23395

Подробнее о заказе

SIR882BDP-T1-RE3 SIR882BDP-T1-RE3 MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK 6975

Подробнее о заказе

DMN7022LFG-7 DMN7022LFG-7 MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8 3329

Подробнее о заказе

STI40N65M2 STI40N65M2 MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 1683

Подробнее о заказе

NVMFS5C604NLWFAFT3G NVMFS5C604NLWFAFT3G MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN 904

Подробнее о заказе

IRFS634B IRFS634B N-CHANNEL POWER MOSFET 133866

Подробнее о заказе

TK3R1P04PL,RQ TK3R1P04PL,RQ MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK 3307

Подробнее о заказе

STB80NF55-06T4 STB80NF55-06T4 MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 920

Подробнее о заказе

FDS6692A FDS6692A MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC 3391

Подробнее о заказе

TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP 7775

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11465 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$9.62000$9.62

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top