Только для справки
номер части | SIR882BDP-T1-RE3 |
LIXINC Part # | SIR882BDP-T1-RE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIR882BDP-T1-RE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIR882BDP-T1-RE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® Gen IV |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 8.3mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.3V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 81 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3762 pF @ 50 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SO-8 |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SO-8 |
DMN7022LFG-7 | MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8 | 3289 Подробнее о заказе |
|
STI40N65M2 | MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK | 1693 Подробнее о заказе |
|
NVMFS5C604NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN | 990 Подробнее о заказе |
|
IRFS634B | N-CHANNEL POWER MOSFET | 133877 Подробнее о заказе |
|
TK3R1P04PL,RQ | MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK | 3342 Подробнее о заказе |
|
STB80NF55-06T4 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 808 Подробнее о заказе |
|
FDS6692A | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC | 3483 Подробнее о заказе |
|
TPH6400ENH,L1Q | MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP | 7944 Подробнее о заказе |
|
IRFH8321TRPBF | IRFH8321 - HEXFET POWER MOSFET | 4719 Подробнее о заказе |
|
AOSP21313C | MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC | 6857 Подробнее о заказе |
|
SCT10N120AG | SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 | 1537 Подробнее о заказе |
|
SCT3120ALHRC11 | SICFET N-CH 650V 21A TO247N | 1268 Подробнее о заказе |
|
SQD97N06-6M3L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA | 4636 Подробнее о заказе |
В наличии | 16845 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.68000 | $1.68 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.