Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC889N03LSGATMA1

BSC889N03LSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC889N03LSGATMA1
LIXINC Part # BSC889N03LSGATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 13A/45A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC889N03LSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC889N03LSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC889N03LSGATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:13A (Ta), 45A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.3 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 28W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC889N03LSGATMA1 Документы

if BSC889N03LSGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTMFS5C673NLT3G NTMFS5C673NLT3G MOSFET N-CH 60V 5DFN 888

Подробнее о заказе
FQB55N06TM FQB55N06TM MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK 2140

Подробнее о заказе
FDS86242 FDS86242 MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 6074

Подробнее о заказе
IRF253 IRF253 MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE 926

Подробнее о заказе
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 12998

Подробнее о заказе
FDBL86063-F085 FDBL86063-F085 MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF 996

Подробнее о заказе
ZVN4206GTA ZVN4206GTA MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 8352

Подробнее о заказе
BUK655R0-75C,127 BUK655R0-75C,127 MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 893

Подробнее о заказе
NTE2394 NTE2394 MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO3P 1101

Подробнее о заказе
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 898

Подробнее о заказе
STFI31N65M5 STFI31N65M5 MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP 938

Подробнее о заказе
IXFH102N15T IXFH102N15T MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD 2049

Подробнее о заказе
IMBF170R450M1XTMA1 IMBF170R450M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 1626

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10873 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.27997$0.27997

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top