Только для справки
номер части | IPD25CN10NGATMA1 |
LIXINC Part # | IPD25CN10NGATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPD25CN10NGATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | IPD25CN10NGATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 35A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 25mOhm @ 35A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 39µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2070 pF @ 50 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 71W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
![]() |
FCH040N65S3-F155 | MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 | 1363 Подробнее о заказе |
![]() |
DMN61D9U-7 | MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 | 13595 Подробнее о заказе |
![]() |
AUIRFR3710ZTRL | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 8001 Подробнее о заказе |
![]() |
CSD19502Q5BT | MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON | 2709 Подробнее о заказе |
![]() |
FDP150N10A-F102 | MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 | 1482 Подробнее о заказе |
![]() |
VP0104N3-G | MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3 | 1707 Подробнее о заказе |
![]() |
MMFTN138 | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 | 946 Подробнее о заказе |
![]() |
BSC889N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 13A/45A TDSON | 814 Подробнее о заказе |
![]() |
NTMFS5C673NLT3G | MOSFET N-CH 60V 5DFN | 999 Подробнее о заказе |
![]() |
FQB55N06TM | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK | 2122 Подробнее о заказе |
![]() |
FDS86242 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC | 6199 Подробнее о заказе |
![]() |
IRF253 | MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE | 833 Подробнее о заказе |
![]() |
SI2314EDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | 13051 Подробнее о заказе |
В наличии | 11868 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.28000 | $1.28 |
2500 | $0.56380 | $1409.5 |
5000 | $0.53560 | $2678 |
12500 | $0.51547 | $6443.375 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.