Только для справки
номер части | IPB090N06N3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB090N06N3GATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB090N06N3GATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 01 - Jul 05 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB090N06N3GATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 9mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 34µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2900 pF @ 30 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 71W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FDB0165N807L | MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7 | 1620 Подробнее о заказе |
|
NTF3055-160T3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7083 Подробнее о заказе |
|
FDFC3N108 | MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6 | 99439 Подробнее о заказе |
|
STI150N10F7 | MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK | 888 Подробнее о заказе |
|
CPH3461-TL-W | MOSFET N-CH 250V 350MA 3CPH | 1219 Подробнее о заказе |
|
IXFT50N50P3 | MOSFET N-CH 500V 50A TO268 | 4464 Подробнее о заказе |
|
IPD25CN10NGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | 1822 Подробнее о заказе |
|
FCH040N65S3-F155 | MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 | 1382 Подробнее о заказе |
|
DMN61D9U-7 | MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 | 13536 Подробнее о заказе |
|
AUIRFR3710ZTRL | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 7849 Подробнее о заказе |
|
CSD19502Q5BT | MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON | 2659 Подробнее о заказе |
|
FDP150N10A-F102 | MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 | 1496 Подробнее о заказе |
|
VP0104N3-G | MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3 | 1879 Подробнее о заказе |
В наличии | 10818 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.14000 | $1.14 |
1000 | $0.53928 | $539.28 |
2000 | $0.50333 | $1006.66 |
5000 | $0.47816 | $2390.8 |
10000 | $0.46018 | $4601.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.