Только для справки
номер части | TK31N60W,S1VF |
LIXINC Part # | TK31N60W,S1VF |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | TK31N60W,S1VF След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 20 - Oct 24 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | TK31N60W,S1VF |
Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ряд: | DTMOSIV |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 30.8A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 88mOhm @ 15.4A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.7V @ 1.5mA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 86 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±30V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3000 pF @ 300 V |
Фет-функция: | Super Junction |
рассеиваемая мощность (макс.): | 230W (Tc) |
Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | TO-247 |
упаковка / чехол: | TO-247-3 |
HUF76107D3S | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1935 Подробнее о заказе |
|
SCH1343-TL-H | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6SCH | 930937 Подробнее о заказе |
|
DMN3008SFG-13 | MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 | 938 Подробнее о заказе |
|
BSC100N10NSFGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON | 879 Подробнее о заказе |
|
NVMFS5C468NLAFT3G | MOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN | 944 Подробнее о заказе |
|
SI7615BDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK | 1027 Подробнее о заказе |
|
IPB083N15N5LFATMA1 | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK | 836 Подробнее о заказе |
|
EPC2218 | GANFET N-CH 100V DIE | 13733 Подробнее о заказе |
|
BUZ73AE3046XK | MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 | 989 Подробнее о заказе |
|
FDD6N20TM | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK | 9627 Подробнее о заказе |
|
IRFB9N65APBF-BE3 | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB | 1823 Подробнее о заказе |
|
SIHG47N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC | 1405 Подробнее о заказе |
|
RM75N60T2 | MOSFET N-CHANNEL 60V 75A TO220-3 | 807 Подробнее о заказе |
В наличии | 11038 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $8.85000 | $8.85 |
30 | $7.25700 | $217.71 |
120 | $6.54900 | $785.88 |
510 | $5.48700 | $2798.37 |
1020 | $4.95600 | $5055.12 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.