Только для справки
номер части | BSC100N10NSFGATMA1 |
LIXINC Part # | BSC100N10NSFGATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSC100N10NSFGATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 20 - Oct 24 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | BSC100N10NSFGATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 11.4A (Ta), 90A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 10mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 110µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 44 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2900 pF @ 50 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 156W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TDSON-8-1 |
упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
NVMFS5C468NLAFT3G | MOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN | 973 Подробнее о заказе |
|
SI7615BDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK | 883 Подробнее о заказе |
|
IPB083N15N5LFATMA1 | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK | 945 Подробнее о заказе |
|
EPC2218 | GANFET N-CH 100V DIE | 13678 Подробнее о заказе |
|
BUZ73AE3046XK | MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 | 995 Подробнее о заказе |
|
FDD6N20TM | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK | 9653 Подробнее о заказе |
|
IRFB9N65APBF-BE3 | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB | 1838 Подробнее о заказе |
|
SIHG47N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC | 1346 Подробнее о заказе |
|
RM75N60T2 | MOSFET N-CHANNEL 60V 75A TO220-3 | 833 Подробнее о заказе |
|
TPCA8128,LQ(CM | MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP | 975 Подробнее о заказе |
|
FCPF600N60Z | MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F | 207487 Подробнее о заказе |
|
RM60P60HD | MOSFET P-CHANNEL 60V 61A TO263-2 | 878 Подробнее о заказе |
|
DMT6017LSS-13 | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO | 3296 Подробнее о заказе |
В наличии | 10885 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $2.07000 | $2.07 |
5000 | $2.07000 | $10350 |
10000 | $2.02657 | $20265.7 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.