Только для справки
номер части | IPB180N06S4H1ATMA2 |
LIXINC Part # | IPB180N06S4H1ATMA2 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB180N06S4H1ATMA2 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB180N06S4H1ATMA2 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 180A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 200µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 270 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 21900 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 250W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO263-7-3 |
упаковка / чехол: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
BUK9Y19-100E,115 | MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 | 937 Подробнее о заказе |
|
SI7119DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8 | 3929 Подробнее о заказе |
|
MCH6336-TL-E | MOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6 | 3843 Подробнее о заказе |
|
IRF510 | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB | 917 Подробнее о заказе |
|
EPC2007C | GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE | 35026 Подробнее о заказе |
|
IPB60R280C6ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK | 1141 Подробнее о заказе |
|
STD7NM64N | MOSFET N-CH 640V 5A DPAK | 839 Подробнее о заказе |
|
2SK3814-AZ | MOSFET N-CH 60V 60A TO251 | 7339 Подробнее о заказе |
|
BUK6240-75C,118 | MOSFET N-CH 75V 22A DPAK | 8392 Подробнее о заказе |
|
MPF4391RLRA | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 18554 Подробнее о заказе |
|
NVMFSW6D1N08HT1G | MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN | 33913 Подробнее о заказе |
|
NTMFS4851NT1G | MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN | 82518 Подробнее о заказе |
|
BSC019N06NSATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL | 7131 Подробнее о заказе |
В наличии | 10991 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $3.77000 | $3.77 |
1000 | $2.28357 | $2283.57 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.