IPB180N06S4H1ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB180N06S4H1ATMA2 | IPB180N06S4H1ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB180N06S4H1ATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB180N06S4H1ATMA2
LIXINC Part #	IPB180N06S4H1ATMA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB180N06S4H1ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB180N06S4H1ATMA2 Технические характеристики

номер части:	IPB180N06S4H1ATMA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	270 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	21900 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	250W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

BUK9Y19-100E,115	MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56	894 Подробнее о заказе
SI7119DN-T1-GE3	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8	3992 Подробнее о заказе
MCH6336-TL-E	MOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6	3791 Подробнее о заказе
IRF510	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB	860 Подробнее о заказе
EPC2007C	GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE	35066 Подробнее о заказе
IPB60R280C6ATMA1	MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK	1197 Подробнее о заказе
STD7NM64N	MOSFET N-CH 640V 5A DPAK	954 Подробнее о заказе
2SK3814-AZ	MOSFET N-CH 60V 60A TO251	7426 Подробнее о заказе
BUK6240-75C,118	MOSFET N-CH 75V 22A DPAK	8442 Подробнее о заказе
MPF4391RLRA	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	18544 Подробнее о заказе
NVMFSW6D1N08HT1G	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN	33827 Подробнее о заказе
NTMFS4851NT1G	MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN	82439 Подробнее о заказе
BSC019N06NSATMA1	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL	7132 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.77000	$3.77
1000	$2.28357	$2283.57

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015